Hersteller Produktnummer:
2SA1162S-Y, LF(D
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1162S-Y, LF(D-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
12890052
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2SA1162S-Y, LF(D Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
2SA1162
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SA1162-Y(TE85LF)DKR
2SA1162S-YLF(DCT
2SA1162-Y(TE85LF)TR-DG
2SA1162SYLFD
2SA1162-Y(TE85LF)TR
2SA1162-Y(TE85LF)CT
2SA1162S-Y LF(DTR
2SA1162S-Y LF(DTR-DG
2SA1162SYLFTR-DG
2SA1162S-Y LF(DCT-DG
2SA1162-YTE85LF
2SA1162-YCT
2SA1162-YDKR-DG
2SA1162S-Y LF(DCT
2SA1162S-YLF(DTR
2SA1162-Y(TE85LF)CT-DG
2SA1162-Y(T5L,F,T)
2SA1162-YTR
2SA1162S-YLF(DDKR
2SA1162-Y(TE85L,F)
2SA1162-Y(TE85LF)DKR-DG
2SA1162-YDKR
2SA1162S-Y LF(DDKR-DG
2SA1162SYLFTR
2SA1162S-Y LF(DDKR
2SA1162-YTR-DG
2SA1162-YCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BC857A RFG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
9000
TEILNUMMER
BC857A RFG-DG
Einheitspreis
0.02
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